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NP82N055EHE-E2-AY	文件：421.05 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES ? Channel temperature 175 degree rated ? Super low on-state resistance RDS(on) = 8.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) ? Low input capacitance Ciss = 3500 pF TYP. ? Built-in gate protection diode 文件：421.05 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
NP82N055EHE-E2-AY	文件：214 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：214 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	NEC 瑞薩	NEC
NP9926ASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP-8	南麟上傳：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NPA-100B-015A	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SOIC 模塊	Amphenol Advanced Sensors 上傳：深圳市匯創(chuàng)佳電子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors
NPA-500B-005G	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SMD 模塊	Amphenol Advanced Sensors 上傳：深圳市匯創(chuàng)佳電子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors

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