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    NP50P06KDG-E2-AY

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

    DESCRIPTION The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES ?Super low on-state resistance RDS(on)1= 17 mΩMAX. (VGS= ?10 V, ID= ?25 A) RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= ?4.5 V, ID= ?25 A) ?Low input capacitance

    文件:184.9 Kbytes 頁數(shù):7 Pages

    NEC

    瑞薩

    NP50P06KDG-E2-AYNote

    SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

    文件:294.89 Kbytes 頁數(shù):9 Pages

    RENESAS

    瑞薩

    NP9926ASR

    SOP-8

    南麟

    NPA-100B-015A

    14-SOIC 模塊

    Amphenol Advanced Sensors

    上傳:深圳市匯創(chuàng)佳電子科技有限公司

    Amphenol Advanced Sensors

    NPA-500B-005G

    14-SMD 模塊

    Amphenol Advanced Sensors

    上傳:深圳市匯創(chuàng)佳電子科技有限公司

    Amphenol Advanced Sensors

    詳細(xì)參數(shù)

    • 型號:

      NP50P06KDG-E2-AY

    • 制造商:

      NEC

    • 制造商全稱:

      NEC

    • 功能描述:

      MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

    供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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    更多NP50P06KDG-E2-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-22 14:14:00

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