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NP100P06PLG-E2-AY	文件：189.76 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP100P06PLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES ? Super low on-state resistance RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?50 A) RDS(on)2 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?50 A) ? High current rating: ID 文件：189.76 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	NEC 瑞薩	NEC
NP100P06PLG-E2-AYNote	文件：299.08 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：299.08 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
NP1216DR	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN2*2-6	南麟上傳：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NP2300MR-Y-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-3	NATLINEAR/南麟上傳：深圳廣友電子有限公司	NATLINEAR/南麟
NP2301AMR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23-3	南麟上傳：深圳市勇康微科技有限公司	南麟

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