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NP100P06PDG-E2-AY	文件：191.09 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP100P06PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES ? Super low on-state resistance RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?50 A) RDS(on)2 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?50 A) ? High current rating: ID( 文件：191.09 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	NEC 瑞薩	NEC
NP100P06PDG-E2-AYNote	文件：300.42 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：300.42 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
NP1216DR	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN2*2-6	南麟上傳：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NP2300MR-Y-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-3	NATLINEAR/南麟上傳：深圳廣友電子有限公司	NATLINEAR/南麟
NP2301AMR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23-3	南麟上傳：深圳市勇康微科技有限公司	南麟

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深圳市晨豪科技有限公司	NP100P06PLG	RENESAS/瑞薩	23+	TO-263	89630	當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨	詢價
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京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	NP100P06PLG-E1-AY	RENESAS/瑞薩	25+	TO263	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價

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