Dual N-Channel Driver with Diagnostic Output 60 V, 3 A, 110 m

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安森美半導(dǎo)體

MOSFET 驅(qū)動器 60 V，3.3 A 130 mΩ 雙 N 溝道，帶診斷輸出

NIMD6001N 是一款雙 3 A 低壓側(cè)開關(guān)，帶集成式共禁用輸入和漏極診斷輸出。 將禁用引腳拉至低電平將超越應(yīng)用的任何門極電壓，并關(guān)斷兩個(gè) FET 開關(guān)。 如果漏極-源極電壓超過大約 50V，則邏輯 1 在診斷/反饋引腳上有效。 內(nèi)部隔離二極管允許多個(gè)器件的禁用和診斷/反饋引腳在有線 OR 配置中進(jìn)行互聯(lián)，而無需額外部件。 ? 110m Maximum RDSON at VGS=10V\n? Avalanche Energy Specified\n? Gate Drive Disable Input\n? Drain-Source Voltage Diagnostic Feedback Output \n? Electrically Isolated Drains\n? Internal Resistors Limit Peak Transient Gate Current\n? AEC-Q101 Qualified;

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Dual N-Channel Driver

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Dual N-Channel Driver with Diagnostic Output 60 V, 3 A, 110 m

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Dual N-Channel MOSFET Driver with Diagnostic Output

NIMD6001N is a dual 3 Amp low side switch with an integrated common disable input and drain diagnostic output.Pulling the Disable pin low will override any applied gate voltages and turn off both FET switches.Should either Drain-Source voltage exceed approximately 50V, a logic 1will be asserted on t ? 110m Maximum RDSON at VGS=10V\n? Avalanche Energy Specified\n? Gate Drive Disable Input\n? Drain-Source Voltage Diagnostic Feedback Output \n? Electrically Isolated Drains\n? Internal Resistors Limit Peak Transient Gate Current\n? AEC-Q101 Qualified;

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動器 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 8SOIC

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