Gate??mitter ESD Protection

Description This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over?Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current s

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LITTELFUSE

力特

Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel DPAK

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel DPAK

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel DPAK

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

點火IGBT電源半導(dǎo)體

這款邏輯電平絕緣柵雙極晶體管（IGBT）配有集成ESD與過壓箝位保護裝置的單片電路，可用于感應(yīng)線圈驅(qū)動器應(yīng)用。 主要用途包括點火、直接燃油噴射或需要高壓與高電流切換的應(yīng)用。 ·DPAK封裝占用空間小，可增加電路板空間\n·柵極發(fā)射極ESD保護\n·溫度補償型柵極集電極電壓鉗位限制應(yīng)用于載荷的應(yīng)力\n·集成ESD二極管保護\n·低閾值電壓將電源載荷接入邏輯或微處理器設(shè)備中\(zhòng)n·低飽和電壓\n·高脈沖電流能力\n·選配柵極電阻（RG）和柵極發(fā)射極電阻（RGE）\n·提供無鉛封裝;

Littelfuse

力特

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 440V 20A 125W DPAK

LITTELFUSE

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