N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description Power SOT N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance.

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 60V，2.7A，0.2Ω

功率SOT N溝道增強(qiáng)模式功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗并保持卓越開(kāi)關(guān)性能而定制的。 這些器件特別適合DC馬達(dá)控制和DC/DC轉(zhuǎn)換等低電壓應(yīng)用，此類應(yīng)用需要快速開(kāi)關(guān)、低線路內(nèi)功率損耗以及抗瞬變能力。 ?2.7 A，60 V。 RDS(ON) = 0.2 Ω @ VGS = 10V\n?高密度設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(ON)。\n?采用廣泛使用的表面貼裝封裝，具有高功率和高電流處理能力。;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description These N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology.This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performan

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N 溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，60V，2.8A，160mΩ

這些N溝道邏輯電平增強(qiáng)模式功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高單元密度、DMOS技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并提供卓越開(kāi)關(guān)性能，以及在雪崩和交換模式下承受高能量脈沖而定制的。這些器件特別適合DC電機(jī)控制和DC/DC轉(zhuǎn)換等需要快速開(kāi)關(guān)、低線內(nèi)功率損耗和瞬態(tài)電阻的低壓應(yīng)用。 ?2.8 A，60 V。 RDS(ON) = 0.2 Ω @ VGS = 4.5 V，RDS(ON) = 0.16 Ω @ VGS = 10 V。\n?高密度設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(ON)。\n?采用廣泛使用的表面貼裝封裝，具有高功率和高電流處理能力。;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體