Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description These dual N- and P-channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performa

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg and UIS Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS ? Motor Drive ? Mobile Power Bank

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VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

雙 N 和 P 溝道增強型場效應(yīng)晶體管，30V

這些雙N和P溝道增強模式功率場效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻，提供卓越開關(guān)性能，以及在雪崩和交換模式下承受高能量脈沖而定制的。 這些器件特別適合筆記本電腦功率管理和其他電池供電電路中的低電壓應(yīng)用，此類應(yīng)用需要快速開關(guān)、低線路內(nèi)功率損耗以及抗瞬變能力。 ?N-Channel 3.7A, 30V, RDS(ON)=0.08W @ VGS=10V, P-Channel -2.9A, -30V, RDS(ON)=0.13W @ VGS=-10V.\n?通態(tài)電阻RDS(ON)極低的高密度單元設(shè)計。\n?高功率和高電流處理能力，采用廣泛使用的表面貼裝封裝。表面貼裝封裝中的雙（N＆P溝道）MOSFET。\n?Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mount package.;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

16-channel Fm I2C-bus 57 mA constant current LED driver

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PHI

PHI