絲印：NDS9948；Package：SO-8；Dual 60V P-Channel PowerTrench??MOSFET

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ONSEMI

安森美半導體

Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5V – 20V). Features ? –2.3 A, –60 V RDS(ON)= 250 m?@ VGS

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FAIRCHILD

仙童半導體

Dual 60V P-Channel PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導體

雙 P 溝道，PowerTrench? MOSFET，60V，-2.3A，250mΩ

此P溝道MOSFET是采用飛兆半導體先進的PowerTrench工藝生產的穩(wěn)固柵極版本。 已針對要求大范圍柵極驅動電壓額定值(4.5V-20V)的功率管理應用進行了優(yōu)化。 ?-2.3A，-60V\n?RDS(ON) = 250 mΩ @ VGS = -10V\n?RDS(ON) = 500 mΩ @ VGS = -4.5V\n?低柵極電荷（典型值9 nC）。\n?快速開關速度\n?高性能溝道技術可實現極低的RDS(ON)\n?高功率和高電流處理能力;

ONSEMI

安森美半導體

Dual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

FEATURES ? Halogen-free ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 UIS Tested APPLICATIONS ? Load Switches

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VBSEMI

微碧半導體

Dual 60V P-Channel PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導體

Dual 60V P-Channel PowerTrench??MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半導體