Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description SO-8 N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to provide superior switching performance and minimize on-state resistance. These

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

雙N溝道增強(qiáng)模式場效應(yīng)晶體管

SO-8 N溝道增強(qiáng)模式功率場效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為提供卓越開關(guān)性能和最大限度地降低通態(tài)電阻而定制的。 這些器件特別適合需要快速開關(guān)、低線路內(nèi)功率損耗以及抗瞬變能力的磁碟驅(qū)動器電機(jī)控制、電池供電電路等低電壓應(yīng)用。 ?3.5 A，60 V。 RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 10 V，RDS(ON) = 0.200 Ω @ VGS = 4.5 V。\n?高密度單元設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(ON)。\n?采用廣泛使用的表面貼裝封裝，具有高功率和高電流處理能力。\n?采用表面貼裝封裝的雙MOSFET。;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 ?C MOSFET

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VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

Strain- and Bridge-Based Measurements

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NI

恩艾

PE99D Series 3.3 V PECL Clock Oscillators

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PLETRONICS

PE99D Series 3.3 V PECL Clock Oscillators

文件：122.01 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages

PLETRONICS