N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description SuperSOT?-3 N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularl

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description SuperSOT?-3 N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularl

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS ? DC/DC Converter

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VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管，30V，1.7A，85mΩ

SuperSOT?-3 N溝道邏輯電平增強模式場效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。 這些器件特別適合筆記本電腦、手提電話、PCMCIA卡和其他電池供電電路中的低電壓應(yīng)用，此類應(yīng)用需要在很小尺寸的表面貼裝封裝中提供快速開關(guān)和低線路內(nèi)功率損耗。 ?1.7 A，30 V。 RDS(ON) = 0.125 Ω @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 0.085 Ω @ VGS = 10 V\n?采用專有SuperSOT?-3技術(shù)設(shè)計的工業(yè)標準SOT-23表面貼裝封裝，可實現(xiàn)卓越的熱性能和電氣性能\n?高密度設(shè)計可實現(xiàn)極低的RDS(ON)\n?出色的導(dǎo)通阻抗和最大DC電流能力\n?緊湊的工業(yè)標準SOT-23表面貼裝封裝;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N 溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管 30V，1.6A，125mΩ

這些N溝道邏輯電平增強模式場效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高單元密度、DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。 此類器件特別適合筆記本電腦、便攜電話、PCMICA卡等低電壓應(yīng)用及其他需要采用極小封裝外形表面貼裝封裝、具有快速開關(guān)和低線內(nèi)功率損耗的電池供電電路。 ?1.6 A，30 V。 RDS(ON) = 0.125Ω @ VGS= 4.5 V。\n?專有封裝設(shè)計使用銅引線框架，可提供出色的熱和電氣能力。\n?采用高密度單元設(shè)計，可實現(xiàn)極低的RDS(ON)。\n?出色的導(dǎo)通阻抗和最大的DC電流能力。\n?緊湊型工業(yè)標準SOT-23表面貼裝封裝。;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體