| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
N.Channel Power MOSFET 文件：131.31 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | ONSEMI 安森美半導(dǎo)體 | ONSEMI | ||
N??hannel Power MOSFET 文件：124.16 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | ONSEMI 安森美半導(dǎo)體 | ONSEMI | ||
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N.Channel Power MOSFET 文件：131.31 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | ONSEMI 安森美半導(dǎo)體 | ONSEMI | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：124.28 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | ONSEMI 安森美半導(dǎo)體 | ONSEMI | ||
N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7 文件：127.75 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | ONSEMI 安森美半導(dǎo)體 | ONSEMI | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：124.28 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | ONSEMI 安森美半導(dǎo)體 | ONSEMI | ||
N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：1.07547 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages | VBSEMI 微碧半導(dǎo)體 | VBSEMI | ||
N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7 文件：127.75 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | ONSEMI 安森美半導(dǎo)體 | ONSEMI |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
NDD
- 功能描述：
MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
2022+ |
TO-251 |
50000 |
原廠代理 終端免費提供樣品 |
詢價 | ||
ON |
TO-251 |
21+ |
50000 |
原裝正品現(xiàn)貨 支持BOM配單! |
詢價 | ||
ON |
17+ |
NA |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ON |
2016+ |
TO-251 |
3900 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
ON |
24+/25+ |
60 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 | |||
ON |
25+ |
TO251 |
80 |
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價 | ||
ON |
24+ |
DPAK |
6000 |
進(jìn)口原裝正品假一賠十,貨期7-10天 |
詢價 | ||
ON |
23+ |
TO-251 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
ON |
23+ |
原廠封裝 |
13528 |
振宏微原裝正品,假一罰百 |
詢價 | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 |
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