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NDC100170A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 100 A, 1700 V, Die Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the ? Max Junction Temperature\n? High Surge Current Capacity\n? No Reverse Recovery / No Forward Recovery\n? Low Vf;	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
NDC100170A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝描述：SIC 1700V 100A WAFER SALE	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
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