isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 26A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.05Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

無錫固電

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 26A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.05Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

無錫固電

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FAIRCHILD

仙童半導(dǎo)體

N 溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管 60V，26A，35mΩ

這些邏輯電平N溝道增強模式功率場效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻，提供卓越的開關(guān)性能，以及在雪崩和交換模式下承受高能量脈沖而定制的。 這些器件特別適合需要快速開關(guān)、低線路內(nèi)功率損耗以及抗瞬變能力的汽車、DC/DC轉(zhuǎn)換器、PWM電機控制和其他電池供電電路等低電壓應(yīng)用。 ?26 A，60 V。 RDS(ON) = 0.05Ω @ VGS= 5 V，RDS(ON) = 0.035Ω @ VGS= 10 V。\n?在高溫下額定的臨界DC電氣參數(shù)。\n?耐用的內(nèi)部源極-漏極二極管使得無需使用外部齊納二極管瞬態(tài)抑制器。\n?175°C最大結(jié)溫額定值。\n?采用高密度單元設(shè)計，可實現(xiàn)極低的RDS(ON)。\n?TO-220和TO-263 (D2PAK)封裝，適用于通孔和表面貼裝應(yīng)用。;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體