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    NCP3418DR2G

    Dual Bootstrapped 12 V MOSFET Driver with Output Disable

    文件:255.63 Kbytes 頁數(shù):9 Pages

    ONSEMI

    安森美半導(dǎo)體

    NCP3418DR2G

    Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

    ONSEMI

    安森美半導(dǎo)體

    NCP3418DR2

    Dual Bootstrapped 12 V MOSFET Driver with Output Disable

    文件:255.63 Kbytes 頁數(shù):9 Pages

    ONSEMI

    安森美半導(dǎo)體

    NCP3418DR2

    Dual Bootstrapped 12 V MOSFET Driver with Output Disable

    文件:110.04 Kbytes 頁數(shù):9 Pages

    ONSEMI

    安森美半導(dǎo)體

    NCP3418DR2

    Dual Bootstrapped 12 V MOSFET Driver with Output Disable

    文件:90.57 Kbytes 頁數(shù):10 Pages

    ONSEMI

    安森美半導(dǎo)體

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號(hào):

      NCP3418DR2G

    • 制造商:

      onsemi

    • 類別:

      集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

    • 包裝:

      卷帶(TR)

    • 驅(qū)動(dòng)配置:

      半橋

    • 通道類型:

      同步

    • 柵極類型:

      N 溝道 MOSFET

    • 電壓 - 供電:

      4.6V ~ 13.2V

    • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

      0.8V,2V

    • 輸入類型:

      非反相

    • 上升/下降時(shí)間(典型值):

      18ns,10ns

    • 工作溫度:

      0°C ~ 150°C(TJ)

    • 安裝類型:

      表面貼裝型

    • 封裝/外殼:

      8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      8-SOIC

    • 描述:

      IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

    供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
    onsemi
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    更多NCP3418DR2G供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-22 23:00:00

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