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NCE6602A	文件：597.47 Kbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：597.47 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
NCE6602N	文件：1.34224 Mbytes Page：10 Pages	N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.34224 Mbytes 頁數(shù)：10 Pages	LEIDITECH 雷卯電子	LEIDITECH
NCE6602N	文件：440.26 Kbytes Page：11 Pages	NCE N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6602N uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features ● N-Channel ● VDS = 30V,ID = 3.5A RDS(ON) 文件：440.26 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	NCEPOWER 新潔能	NCEPOWER
NI6602	文件：356.5 Kbytes Page：10 Pages	32-Bit Counter/Timers 文件：356.5 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	NI 恩艾	NI

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