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首頁 >NCE0260>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
NCE0260	文件：363.55 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：363.55 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	NCEPOWER 新潔能	NCEPOWER
NCE0260	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新潔能	NCEPower
NCE0260T	文件：318.37 Kbytes Page：7 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/nce0260t/marking.html">NCE0260T；Package：TO-247；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0260T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =200V,ID =60A RDS(ON) 文件：318.37 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	NCEPOWER 新潔能	NCEPOWER
NCE0260P	文件：362.22 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：362.22 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	NCEPOWER 新潔能	NCEPOWER
NCE0260P	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET \n The NCE0260P uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. \n? V DS =200V,I D =60A\nR DS(ON) <32m? @ V GS =10V\n? High density cell design for ultra low Rdson\n? Fully characterized avalanche voltage and current\n? Good stability and uniformity with high E AS\n? Excellent package for good heat dissipation\n? Special process technology for high ESD capabilit;	NCEPower 新潔能	NCEPower
NCE0260T	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新潔能	NCEPower

技術(shù)參數(shù)

Product status：
Production
Package：
TO-220
Polarity：
P
BVDSS(V)：
200
ID(A)：
60
VTH(V)：
3.2
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
24
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
30
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
6200
QG(nC)：
130
PD(W)：
285

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多NCE0260供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 13:02:00

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