| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
NCE01P30D | 絲印：NCE01P30D；Package：TO-263-2L；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01P30D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features ● VDS =-100V,ID =-30A RDS(ON) 文件：330.66 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | NCEPOWER 新潔能 | NCEPOWER | |
NCE01P30D | 12-150V P-Channel Trench MOSFET | NCEPower 新潔能 | NCEPower | |
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01P30I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features ● VDS =-100V,ID =-30A RDS(ON) 文件：321.87 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | NCEPOWER 新潔能 | NCEPOWER | ||
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：413.62 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages | NCEPOWER 新潔能 | NCEPOWER | ||
P-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：998.27 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | VBSEMI 微碧半導體 | VBSEMI |
技術參數(shù)
- Product status：
Production
- Package：
TO-263
- Polarity：
P
- BVDSS(V)：
-100
- ID(A)：
-30
- VTH(V)：
-1.9
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
44
- RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
58
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
48
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
65
- VGS(th)(V)：
±20
- CISS(pF)：
3810
- QG(nC)：
136
- PD(W)：
120
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NCE |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
NCE |
25+ |
TO-263-2L |
4000 |
原廠原裝,價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
NCE |
21+ |
TO-263 |
20 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
NCE |
22+ |
TO-263 |
8000 |
原裝現(xiàn)貨實單支持 |
詢價 | ||
NCE |
2023+ |
TO-263-2L |
8800 |
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。 |
詢價 | ||
NCE新潔能 |
2026+ |
35375 |
絕對原裝正品/真實庫存/絕無虛假/支持送貨 |
詢價 | |||
NCE |
24+ |
TO-263-2L |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
60000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
NCE/新潔能 |
2511 |
TO-263 |
360000 |
電子元器件采購降本30%!原廠直采,砍掉中間差價 |
詢價 | ||
NCE |
1ESH1,FA |
TO-263-2L |
600 |
正規(guī)渠道貨源 |
詢價 |
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