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首頁(yè) >NCD5701>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
NCD5701	文件：465.33 Kbytes Page：20 Pages	High Current IGBT Gate Drivers 文件：465.33 Kbytes 頁(yè)數(shù)：20 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
NCD5701	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 門極驅(qū)動(dòng)器，高電流，獨(dú)立 The NCD5701 series is a set of high-current, high-performance stand-alone IGBT drivers for medium-to-high power applications that include induction heating, welding, solar inverters, motor control and uninterruptable power supplies. The devices offer a cost-effective solution by eliminating many ext ? High Current Output (+4.0/-6.0 A) at IGBT Miller Plateau voltages\n? Reduced switching losses and short switching times\n? Low VOH and VOL\n? Full enhancement of IGBT\n? Active Miller Clamp (NCD5701A only)\n? Prevents Spurious Gate Turn-on\n? DESAT Protection with Programmable Delay\n? Enhanced pr;	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
NCD5701A	文件：342.23 Kbytes Page：20 Pages	High Current IGBT Gate Drivers 文件：342.23 Kbytes 頁(yè)數(shù)：20 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
NCD5701A	文件：465.33 Kbytes Page：20 Pages	High Current IGBT Gate Drivers 文件：465.33 Kbytes 頁(yè)數(shù)：20 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
NCD5701ADR2G	文件：465.33 Kbytes Page：20 Pages	High Current IGBT Gate Drivers 文件：465.33 Kbytes 頁(yè)數(shù)：20 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
NCD5701ADR2G	文件：342.23 Kbytes Page：20 Pages	High Current IGBT Gate Drivers 文件：342.23 Kbytes 頁(yè)數(shù)：20 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
NCD5701B	文件：342.23 Kbytes Page：20 Pages	High Current IGBT Gate Drivers 文件：342.23 Kbytes 頁(yè)數(shù)：20 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
NCD5701B	文件：465.33 Kbytes Page：20 Pages	High Current IGBT Gate Drivers 文件：465.33 Kbytes 頁(yè)數(shù)：20 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
NCD5701BDR2G	文件：342.23 Kbytes Page：20 Pages	High Current IGBT Gate Drivers 文件：342.23 Kbytes 頁(yè)數(shù)：20 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
NCD5701BDR2G	文件：465.33 Kbytes Page：20 Pages	High Current IGBT Gate Drivers 文件：465.33 Kbytes 頁(yè)數(shù)：20 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Power Switch：
IGBT
Number of Outputs：
1
Topology：
Single
Isolation Type：
Non-Isolated
Vin Max (V)：
5.5
VCC Max (V)：
35
Drive Source/Sink Typ (mA)：
5000/5000
Rise Time (ns)：
30
Fall Time (ns)：
30
tp Max (ns)：
70
Package Type：
SOIC-8

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市中億偉業(yè)電子有限公司	NCD5701	ON/安森美	2023+	SOIC-8	86950	一級(jí)代理商原裝進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
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