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N0602N	文件：217.59 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The N0602N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features ? Low on-state resistance RDS (on) = 4.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) ? Low input capacitance Ciss = 7730 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) ? Hig 文件：217.59 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
N0602N	文件：295.39 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.6mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：295.39 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
N0602N_15	文件：217.59 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING 文件：217.59 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
N0602N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch Single Power Mosfet 60V 100A 4.6Mohm To-220 The N0602N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. ? Low on-state resistanceRDS(on) = 4.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A)\n? Low input capacitanceCiss = 7730 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)\n? High currentID(DC) = ±100 A\n? RoHS Compliant;	Renesas 瑞薩	Renesas

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更多N0602N供應(yīng)商更新時間2022-6-12 10:12:00