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MXP6006DR	文件：300 bytes Page：1 Pages	Depletion Mode MOSFETs	MaxPower 邁斯派爾	MaxPower
N6006NZ	文件：260.45 Kbytes Page：8 Pages	N-channel MOSFET 600V, 6A, 1.2Ω Description The N6006NZ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features ? Low on-state resistance RDS (on) = 1.2Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) ? Low input capacitance Ciss = 1385pF TYP. (VDS = 10V, VGS = 0 V) ? High current ID(DC) = ±6.0 文件：260.45 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
NTE6006	文件：20.66 Kbytes Page：2 Pages	Fast Recovery Rectifier, 40A, 200ns Description: The NTE6006 through NTE6011 are fast recovery silicon rectifiers in a DO5 type package designed for special applications such as DC power supplies, inverters, converters, ultrasonic systems, choppers, low RF interference, sonar power supplies, and free wheeling diodes. A complete lin 文件：20.66 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NTE	NTE
NW6006	文件：324.01 Kbytes Page：22 Pages	ENHANCED TYPE II CALLER ID DECODER WITH STUTTER DIAL TONE DETECTOR 文件：324.01 Kbytes 頁數(shù)：22 Pages	IDT	IDT

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更多MXP6006DR供應(yīng)商更新時間2026-1-19 15:04:00