雙NMOS半橋柵極驅動器

雙N管半橋柵極驅動器是專門為上、下橋臂開關管都是N溝道VDMOS管的半橋電路結構設計的。下橋臂(低邊)直接采用芯片的供電電源驅動，上橋臂(高邊)N管采用自舉(BOST)工作原理產生超過功率管電源電壓的電壓，打開高邊功率。高邊功率管導通期間，高邊驅動電路供電完全依賴外置的自舉電容上存儲的電荷，因此該電容必須合理選擇，并且應該首先導通低邊功率管，讓BOST電容充電，利用PWM信號定期對自舉電容進行充電，以此保證高邊驅動電壓穩(wěn)定。 ● 峰值驅動能力強，可推動150A MOSFET工作在300KHz；\r\n● 集成自舉二極管，節(jié)省器件，便于排板；\r\n● 自適應死區(qū)保護技術，可根據MOSFET柵極電容大小動態(tài)調節(jié)內置死區(qū)時間，防止高、低邊功率管直通；\r\n● 內置邏輯保護，輸入同時為高時，輸出不響應；\r\n● 針對42V以內應用設計，兼顧高耐壓與低成本。;

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