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首頁 >MX>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
SSDJ48A	文件：269.17 Kbytes Page：4 Pages	絲?。?strong>MX；Package：SOD-123RL；200W Peak Power Surface Mount TVS 文件：269.17 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
MX040-20	文件：38.96 Kbytes Page：2 Pages	ELP EXTRA LOW PROFILE STANDARD RECTIFIER Features ? Designed for applications with stringent profile restrictions ? Passivated mesa structure for very low leakage currents ? Epitaxial structure minimizes forward voltage drop ? Hermetically sealed, extremely low profile ceramic seal package with flexible copper leads for surface mount 文件：38.96 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MX043G	文件：183.1 Kbytes Page：4 Pages	RADIATION HARDENED SEGR-RESISTANT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Features ? Harris FSC260R die ? total dose: 100 kRAD(Si) within pre-radiation parameter limits ? dose rate: 3 x 109RAD(Si)/sec @ 80BVDSS typical ? dose rate: 2 x 1012RAD(Si)/sec @ ID ￡IDM typical ? neutron: 1013 neutrons/cm2 within pre-radiation parameter limits ? photocurrent: 17 nA/RAD(Si) 文件：183.1 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MX043J	文件：183.1 Kbytes Page：4 Pages	RADIATION HARDENED SEGR-RESISTANT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Features ? Harris FSC260R die ? total dose: 100 kRAD(Si) within pre-radiation parameter limits ? dose rate: 3 x 109RAD(Si)/sec @ 80BVDSS typical ? dose rate: 2 x 1012RAD(Si)/sec @ ID ￡IDM typical ? neutron: 1013 neutrons/cm2 within pre-radiation parameter limits ? photocurrent: 17 nA/RAD(Si) 文件：183.1 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MX0912B100Y	文件：98.88 Kbytes Page：12 Pages	NPN microwave power transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistors. The MX0912B100Y has a SOT439A metal ceramic flange package and improved output prematching cells. It is recommended for new designs. The MZ0912B100Y has a SOT443A metal ceramic flange package with the base connected to the fl 文件：98.88 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	PHI PHI	PHI
MX0912B251Y	文件：92.33 Kbytes Page：12 Pages	NPN microwave power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT439A metal ceramic flange package, with base connected to flange. It is mounted in common base configuration, and specified in class C. FEATURES ? Interdigitated structure; high emitter efficiency ? Diffused emitter ba 文件：92.33 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	PHI PHI	PHI
MX0912B351Y	文件：92.76 Kbytes Page：12 Pages	NPN microwave power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT439A metal ceramic flange package, with base connected to flange. It is mounted in common base configuration and specified in class C. FEATURES ? Interdigitated structure; high emitter efficiency ? Diffused emitter bal 文件：92.76 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	PHI PHI	PHI
MX0912B351Y114	文件：82.51 Kbytes Page：12 Pages	NPN microwave power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT439A metal ceramic flange package, with base connected to flange. It is mounted in common base configuration and specified in class C. FEATURES ? Interdigitated structure; high emitter efficiency ? Diffused emitter bal 文件：82.51 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	PHI PHI	PHI
MX1011B200Y	文件：88.67 Kbytes Page：12 Pages	Microwave power transistor NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT439A metal ceramic flange package, with base connected to flange. 文件：88.67 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	PHI PHI	PHI
MX1011B430W	文件：47.5 Kbytes Page：8 Pages	NPN microwave power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT439A metal ceramic flange package with base connected to flange. FEATURES ? Suitable for short and medium pulse applications up to 500 μs/10 ? Internal input and output prematching networks allow an eas 文件：47.5 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	PHI PHI	PHI

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晶體管資料

型號(hào)：
MXTA14
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+Darl
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
30V
最大電流允許值：
0.5A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
PXTA14,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
H-100
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.625

技術(shù)參數(shù)

交流電流：
0.5000 amps
外觀形式：
Handheld
主要測(cè)量模式：
True RMS Measurement; Temperature
測(cè)量類型：
AC; DC
產(chǎn)品型號(hào)：
MX0057CX
產(chǎn)品類別：
Digital Ammeters
制造商：
Metrix Instrument Co.

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	MX		23+	QFP208	16567	正品:QQ;2987726803	詢價(jià)
深圳龐田科技有限公司	MX	NVIDIA	2023+	BGA	1	AI智能識(shí)別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站	詢價(jià)
深圳市拓億芯電子有限公司	N1	FAIRCHILD/仙童	25+	SOT-23	15000	全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	N1	ZETEX	23+	SOT-89	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市博中泰實(shí)業(yè)有限公司	N1	ZETEX	24+	SOT-89	60000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	N1	NEXTCHIP	2450+	QFN	1450	只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	N3	EYENIX	20+	BGA	19570	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市信佳源電子有限公司	N3	EYENIX	1412+	BGA	265	原裝/現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市賽特興科技有限公司	N3	NEXTCHIP	23+	QFN	9800	正規(guī)渠道,只有原裝!	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	N3	NEXTCHIP	24+	QFN	5000	全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售	詢價(jià)

更多MX供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 10:31:00

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