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MWS5114D2	文件：29.33 Kbytes Page：7 Pages	1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM Description The MWS5114 is a 1024 word by 4-bit static random access memory that uses the ion-implanted silicon gate complementary MOS (CMOS) technology. It is designed for use in memory systems where low power and simplicity in use are desirable. This type has common data input and data output 文件：29.33 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	INTERSIL	INTERSIL
MWS5114D2	文件：113.94 Kbytes Page：8 Pages	1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM 文件：113.94 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	INTERSIL	INTERSIL
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