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MTY10N100E | TMOS POWER FET 10 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.3 OHM TMOS E-FET Power Eield Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS E–FET is designed to withstand hi 文件：228.65 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | MOTOROLA 摩托羅拉 | MOTOROLA | |
MTY10N100E | TMOS POWER FET 10 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.3 OHM | 恩XP | 恩XP | |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features Vos =100Vl0 =10A Rosin) 文件：418.13 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | RECTRON 麗正國際 | RECTRON | ||
10 AMP / 1000 Volts 1.2 ohm N-Channel Power MOSFET 文件：227.63 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | SSDI | SSDI | ||
10 AMP / 1000 Volts 1.2 ohm N-Channel Power MOSFET 文件：247.32 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | SSDI | SSDI |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
MTY10N100E
- 制造商：
MOTOROLA
- 制造商全稱：
Motorola, Inc
- 功能描述：
TMOS POWER FET 10 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.3 OHM
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
1100 |
真實現(xiàn)貨庫存 |
詢價 | ||||
T |
22+ |
TO |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價 | ||
MOT |
25+ |
3 |
公司優(yōu)勢庫存 熱賣中! |
詢價 | |||
MOT |
06+ |
TO-3PL |
500 |
原裝庫存 |
詢價 | ||
ON |
26+ |
TO-264 |
6893 |
代理全系列銷售, 全新原裝正品,價格優(yōu)勢,長期供應(yīng),量大可訂 |
詢價 | ||
onsemi(安森美) |
25+ |
- |
11528 |
樣件支持,可原廠排單訂貨! |
詢價 | ||
onsemi(安森美) |
25+ |
- |
11580 |
正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊 |
詢價 | ||
23+ |
15887 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||||
MOT |
25+ |
DIP |
18000 |
原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝 |
詢價 | ||
23+ |
4000 |
正品原裝貨價格低 |
詢價 |
