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MTW7N80E	文件：220.96 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 7.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM TMOS E?FET Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMO 文件：220.96 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MTW7N80E	文件：322.57 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.0Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：322.57 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
MTW7N80E	文件：204.08 Kbytes Page：8 Pages	N??hannel Power MOSFET 文件：204.08 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MTW7N80E	文件：300 bytes Page：1 Pages	N?Channel Power MOSFET	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

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更多MTW7N80E供應(yīng)商更新時間2026-1-21 22:59:00