| 型號(hào) | 下載 訂購(gòu) | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
MTP4N50E | High Energy Power FET 文件：261.48 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages | ONSEMI 安森美半導(dǎo)體 | ONSEMI | |
MTP4N50E | TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 500 VOLTS RDSon = 1.5 OHMS 文件：254.61 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages | MOTOROLA 摩托羅拉 | MOTOROLA | |
MTP4N50E | High Energy Power FET 文件：171.5 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | |
MTP4N50E | N-Channel 600V (D-S)Power MOSFET 文件：1.05261 Mbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages | VBSEMI 微碧半導(dǎo)體 | VBSEMI | |
MTP4N50E | TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 500 VOLTS RDSon = 1.5 OHMS | 恩XP | 恩XP | |
MTP4N50E | Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail | NJS | NJS |
技術(shù)參數(shù)
- Minimum Operating Temperature：
-55°C
- Maximum Power Dissipation：
75000mW
- Maximum Operating Temperature：
150°C
- Maximum Gate Source Voltage：
±20V
- Maximum Drain Source Voltage：
500V
- Maximum Continuous Drain Current：
4A
- Material：
Si
- Configuration：
Single
- Channel Type：
N
- Channel Mode：
Enhancement
- Category：
Power MOSFET
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
N/A |
2510 |
詢價(jià) | |||
MOT |
06+ |
TO-220 |
3000 |
原裝庫(kù)存 |
詢價(jià) | ||
MOT |
23+ |
NA |
3486 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
2022+ |
2776 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | |||
VBsemi |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
VBSEMI/臺(tái)灣微碧 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
2022+ |
TO-220 |
12888 |
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
詢價(jià) | ||
MOTOROLA |
25+ |
10 |
公司優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 熱賣(mài)中! |
詢價(jià) | |||
VBsemi |
21+ |
TO220 |
10026 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
VBsemi |
25+ |
TO220 |
4632 |
詢價(jià) |
更多MTP4N50E供應(yīng)商
更新時(shí)間2026-1-19 16:00:00
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- SI7921DN
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- PI7C8150B
- PI7C8150DNDE
- PERICOMPI7C8150
- WNS40H100C
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