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MTP30N06E	文件：301.55 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 50mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：301.55 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
MTP30N06E	文件：1.31369 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.31369 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI
MTP30N06VL	文件：207.72 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.050 OHM TMOS V? Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.18 OHM TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles th 文件：207.72 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MTP30N06VL	文件：208.58 Kbytes Page：7 Pages	N??hannel Power MOSFET 文件：208.58 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
MTP30N06VL	文件：1.31366 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.31366 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI

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更多MTP30N06E供應商更新時間2026-1-19 16:00:00