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MTP1N50	文件：300.71 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 1A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：300.71 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
MTP1N50	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 500V 1A	NJS	NJS
MTP1N50E	文件：159.26 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM TMOS E?FET Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS E–FET is designed to withstand hi 文件：159.26 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MTP1N50E	文件：78.28 Kbytes Page：8 Pages	N??hannel TO??20 Power MOSFET 文件：78.28 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MTP1N50E	文件：300 bytes Page：1 Pages	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM	恩XP	恩XP
MTP1N50E	文件：300 bytes Page：1 Pages	N?Channel TO?220 Power MOSFET	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

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更多MTP1N50供應(yīng)商更新時間2026-1-23 10:21:00