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MTM50N05E	文件：224.09 Kbytes Page：6 Pages	TMOS IV POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS 文件：224.09 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MTP50N05E	文件：295.27 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 28mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：295.27 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
MTP50N05EL	文件：979.64 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：979.64 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
OM50N05SA	文件：215.37 Kbytes Page：6 Pages	LOW VOLTAGE, LOW RDS(on) POWER MOSFETS IN HERMETIC ISOLATED PACKAGE DESCRIPTION This series of hermetic packaged MOSFETs are ideally suited for low voltage applications; battery powered voltage power supplies, motor controls, dc to dc converters and synchronous rectification. The low conduction loss allows smaller heat sinking and the low gate charge simpler dr 文件：215.37 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	IRF	IRF

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