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MTM12P10	文件：169.93 Kbytes Page：5 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR Power Field Effect Transistor P-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate 文件：169.93 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MTM12P10	文件：261.18 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.3Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：261.18 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
MTM12P10	文件：95.67 Kbytes Page：2 Pages	Power Field Effect Transistor 文件：95.67 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
MTM12P10	文件：95.67 Kbytes Page：2 Pages	Power Field Effect Transistor 文件：95.67 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
MTM12P10	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR	NJS	NJS

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