TMOS POWER FET 5 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.450 OHM

TMOS V Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount P–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS V is a new technology designed to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles the present cell density of our 50 and 6

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MOTOROLA

摩托羅拉

Power MOSFET 5 Amps, 60 Volts P??hannel DPAK

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Power MOSFET 5 Amps, 60 Volts P??hannel DPAK

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

功率 MOSFET，-60V，-5A，450mΩ，單 P 溝道，DPAK

此功率 MOSFET 適用于承受雪崩和換相模式下的高能量。此類器件針對(duì)電源、轉(zhuǎn)換器和電源電機(jī)控制中的低壓、高速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，尤其適用于二極管速度和換相安全運(yùn)行區(qū)域非常關(guān)鍵的橋式電路，可針對(duì)非預(yù)期的瞬時(shí)電壓提供附加安全裕度。 ? Avalanche Energy Specified\n? IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature\n? Pb-Free Package is Available;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

TMOS POWER FET 5 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.450 OHM

恩XP