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MTD5N10	文件：344.7 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.5Ω(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter, p 文件：344.7 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
PJW5N10	文件：405.63 Kbytes Page：8 Pages	100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：405.63 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	PANJIT 強(qiáng)茂	PANJIT
PJW5N10	文件：419.42 Kbytes Page：8 Pages	100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ? RDS(ON), VGS@10V,[email protected] 文件：419.42 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	PANJIT 強(qiáng)茂	PANJIT
PJW5N10A	文件：857.43 Kbytes Page：7 Pages	100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ? RDS(ON), VGS@10V, ID@4A 文件：857.43 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	PANJIT 強(qiáng)茂	PANJIT

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深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司	MTD5N10E	ON/安森美	22+	SOT252	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價(jià)
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更多MTD5N10供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 16:01:00