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MTD2N50ELI	文件：359.71 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.18Ω(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter, 文件：359.71 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
MTM2N50	文件：168.25 Kbytes Page：5 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：168.25 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MTM2N50	文件：89.6 Kbytes Page：2 Pages	Power Field Effect Transistor 文件：89.6 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
MTP2N50	文件：157.18 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V 文件：157.18 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD

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深圳和潤天下電子科技有限公司	MTD2N50EMOS(場效應(yīng)管)	ON/安森美	22+	TO-252	19732		詢價
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更多MTD2N50ELI供應(yīng)商更新時間2026-1-17 14:08:00