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首頁(yè) >MTB6N60>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
MTB6N60	文件：160.56 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS TMOS E-FET? High Energy Power FET D2PAK-SL Straight Lead N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. De 文件：160.56 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MTB6N60	文件：192.39 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS TMOS E-FET? High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate The D2PAK package has the capability of housing a larger die than any existing surface mount package which allows it to be used in applications that require the use of surface mount components with 文件：192.39 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MTB6N60E	文件：192.39 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS TMOS E-FET? High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate The D2PAK package has the capability of housing a larger die than any existing surface mount package which allows it to be used in applications that require the use of surface mount components with 文件：192.39 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MTB6N60E1	文件：160.56 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS TMOS E-FET? High Energy Power FET D2PAK-SL Straight Lead N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. De 文件：160.56 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MTB6N60E1	文件：214.29 Kbytes Page：7 Pages	High Energy PowerFET 文件：214.29 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MTB6N60E	文件：300 bytes Page：1 Pages	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS	恩XP	恩XP
MTB6N60E1	文件：300 bytes Page：1 Pages	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS	恩XP	恩XP
MTB6N60E1	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Energy PowerFET	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
MTB6N60
制造商：
MOTOROLA
制造商全稱(chēng)：
Motorola, Inc
功能描述：
TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司	MTB6N60	MOTOROLA	24+	TO-263	4341		詢(xún)價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	MTB6N60	ON	23+	TO-263	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	MTB6N60	MOTOROLA	25+		2000	普通	詢(xún)價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	MTB6N60	MOTOROLA/摩托羅拉	2022+		2000	原廠(chǎng)代理終端免費(fèi)提供樣品	詢(xún)價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	MTB6N60	MOTOROLA/摩托羅拉	23+	SOT-263	15040	原廠(chǎng)授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢(xún)價(jià)
深圳市勝彬電子有限公司	MTB6N60	MOTOROLA	22+	TO-263	3000	原裝正品,支持實(shí)單	詢(xún)價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	MTB6N60	MOTOROLA/摩托羅拉	20+	現(xiàn)貨很近!原廠(chǎng)很遠(yuǎn)!只做原裝	32500	現(xiàn)貨很近!原廠(chǎng)很遠(yuǎn)!只做原裝	詢(xún)價(jià)
深圳和潤(rùn)天下電子科技有限公司	MTB6N60	ON/安森美	22+	TO-263	95074		詢(xún)價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	MTB6N60	ON	25+	TO-263	35400	獨(dú)立分銷(xiāo)商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢(xún)價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	MTB6N60	MOTOROLA	24+	TO-263	16800	絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十價(jià)格優(yōu)勢(shì)!?	詢(xún)價(jià)

更多MTB6N60供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 15:30:00

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