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MTB15N06V	文件：274.79 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 15 AMPERES TMOS V? Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.18 OHM TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles th 文件：274.79 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MTB15N06V	文件：332.39 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.12Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co 文件：332.39 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
MTB15N06V	文件：279.85 Kbytes Page：11 Pages	Power Field Effect Transistor 文件：279.85 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
MTB15N06V	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power Field Effect Transistor	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI

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更多MTB15N06V供應商更新時間2026-1-21 14:17:00