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MTB10N40E	文件：331.82 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 400V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.55Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：331.82 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
MTB10N40E	文件：282.56 Kbytes Page：11 Pages	High Energy Power FET 文件：282.56 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MTB10N40E	文件：273.15 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 10 AMPERES 文件：273.15 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MTB10N40ET4G	文件：1.038589 Mbytes Page：8 Pages	絲印：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.038589 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
MTB10N40E	文件：300 bytes Page：1 Pages	TMOS POWER FET 10 AMPERES	恩XP	恩XP
MTB10N40E	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Energy Power FET	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

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更多MTB10N40E供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 14:01:00