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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
MT54W1MH36B-7.5	文件：519.429 Kbytes Page：27 Pages	36Mb QDR??I SRAM 2-WORD BURST 4 MEG x 8, 4 MEG x 9, 2 MEG x 18, 1 MEG x 36 1.8V VDD, HSTL, QDRIIb2 SRAM GENERAL DESCRIPTION The Micron? QDR?II (Quad Data Rate?) synchronous, pipelined burst SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using an advanced 6T CMOS process. The QDR architecture consists of two separat 文件：519.429 Kbytes 頁(yè)數(shù)：27 Pages	MICRON 美光	MICRON
MT54W1MH36BF-4	文件：519.429 Kbytes Page：27 Pages	36Mb QDR??I SRAM 2-WORD BURST 4 MEG x 8, 4 MEG x 9, 2 MEG x 18, 1 MEG x 36 1.8V VDD, HSTL, QDRIIb2 SRAM GENERAL DESCRIPTION The Micron? QDR?II (Quad Data Rate?) synchronous, pipelined burst SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using an advanced 6T CMOS process. The QDR architecture consists of two separat 文件：519.429 Kbytes 頁(yè)數(shù)：27 Pages	MICRON 美光	MICRON
MT54W1MH36BF-5	文件：519.429 Kbytes Page：27 Pages	36Mb QDR??I SRAM 2-WORD BURST 4 MEG x 8, 4 MEG x 9, 2 MEG x 18, 1 MEG x 36 1.8V VDD, HSTL, QDRIIb2 SRAM GENERAL DESCRIPTION The Micron? QDR?II (Quad Data Rate?) synchronous, pipelined burst SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using an advanced 6T CMOS process. The QDR architecture consists of two separat 文件：519.429 Kbytes 頁(yè)數(shù)：27 Pages	MICRON 美光	MICRON
MT54W1MH36BF-6	文件：519.429 Kbytes Page：27 Pages	36Mb QDR??I SRAM 2-WORD BURST 4 MEG x 8, 4 MEG x 9, 2 MEG x 18, 1 MEG x 36 1.8V VDD, HSTL, QDRIIb2 SRAM GENERAL DESCRIPTION The Micron? QDR?II (Quad Data Rate?) synchronous, pipelined burst SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using an advanced 6T CMOS process. The QDR architecture consists of two separat 文件：519.429 Kbytes 頁(yè)數(shù)：27 Pages	MICRON 美光	MICRON
MT54W1MH36BF-7.5	文件：519.429 Kbytes Page：27 Pages	36Mb QDR??I SRAM 2-WORD BURST 4 MEG x 8, 4 MEG x 9, 2 MEG x 18, 1 MEG x 36 1.8V VDD, HSTL, QDRIIb2 SRAM GENERAL DESCRIPTION The Micron? QDR?II (Quad Data Rate?) synchronous, pipelined burst SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using an advanced 6T CMOS process. The QDR architecture consists of two separat 文件：519.429 Kbytes 頁(yè)數(shù)：27 Pages	MICRON 美光	MICRON
MT54W2MH18B	文件：519.429 Kbytes Page：27 Pages	36Mb QDR??I SRAM 2-WORD BURST 4 MEG x 8, 4 MEG x 9, 2 MEG x 18, 1 MEG x 36 1.8V VDD, HSTL, QDRIIb2 SRAM GENERAL DESCRIPTION The Micron? QDR?II (Quad Data Rate?) synchronous, pipelined burst SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using an advanced 6T CMOS process. The QDR architecture consists of two separat 文件：519.429 Kbytes 頁(yè)數(shù)：27 Pages	MICRON 美光	MICRON
MT54W2MH18B-4	文件：519.429 Kbytes Page：27 Pages	36Mb QDR??I SRAM 2-WORD BURST 4 MEG x 8, 4 MEG x 9, 2 MEG x 18, 1 MEG x 36 1.8V VDD, HSTL, QDRIIb2 SRAM GENERAL DESCRIPTION The Micron? QDR?II (Quad Data Rate?) synchronous, pipelined burst SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using an advanced 6T CMOS process. The QDR architecture consists of two separat 文件：519.429 Kbytes 頁(yè)數(shù)：27 Pages	MICRON 美光	MICRON
MT54W2MH18B-5	文件：519.429 Kbytes Page：27 Pages	36Mb QDR??I SRAM 2-WORD BURST 4 MEG x 8, 4 MEG x 9, 2 MEG x 18, 1 MEG x 36 1.8V VDD, HSTL, QDRIIb2 SRAM GENERAL DESCRIPTION The Micron? QDR?II (Quad Data Rate?) synchronous, pipelined burst SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using an advanced 6T CMOS process. The QDR architecture consists of two separat 文件：519.429 Kbytes 頁(yè)數(shù)：27 Pages	MICRON 美光	MICRON
MT54W2MH18B-6	文件：519.429 Kbytes Page：27 Pages	36Mb QDR??I SRAM 2-WORD BURST 4 MEG x 8, 4 MEG x 9, 2 MEG x 18, 1 MEG x 36 1.8V VDD, HSTL, QDRIIb2 SRAM GENERAL DESCRIPTION The Micron? QDR?II (Quad Data Rate?) synchronous, pipelined burst SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using an advanced 6T CMOS process. The QDR architecture consists of two separat 文件：519.429 Kbytes 頁(yè)數(shù)：27 Pages	MICRON 美光	MICRON
MT54W2MH18B-7.5	文件：519.429 Kbytes Page：27 Pages	36Mb QDR??I SRAM 2-WORD BURST 4 MEG x 8, 4 MEG x 9, 2 MEG x 18, 1 MEG x 36 1.8V VDD, HSTL, QDRIIb2 SRAM GENERAL DESCRIPTION The Micron? QDR?II (Quad Data Rate?) synchronous, pipelined burst SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using an advanced 6T CMOS process. The QDR architecture consists of two separat 文件：519.429 Kbytes 頁(yè)數(shù)：27 Pages	MICRON 美光	MICRON

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技術(shù)參數(shù)

電壓范圍：
DC
匹配電機(jī)類(lèi)型：
異步電機(jī)，永磁電機(jī)
控制方式：
高性能無(wú)速度傳感器矢量控制
輸出電流：
800Arms
輸出頻率范圍：
0~2000 Hz
機(jī)側(cè)電流總諧波：
<2%（額定工況）
電機(jī)溫度傳感器：
PT100/PT1000/NTC
系統(tǒng)峰值效率：
>98.5% （驅(qū)動(dòng)側(cè)）
冷卻方式：
液冷
工作環(huán)境溫度：
-40℃~+85℃
體積：
70.4L
通訊方式：
CAN/RS485

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
上海市鑫鴻達(dá)電子	MT5	Altech Corp.	2022+		752	全新原裝貨期兩周	詢(xún)價(jià)
深圳市芯睿晨科技有限公司	MT5	Altech Corporation	23+	原廠封裝	60	只做原裝只有原裝現(xiàn)貨實(shí)報(bào)	詢(xún)價(jià)
深圳市龍騰翼電子科技有限公司	MT5C1008CW-25/883C	MT	2013	CDIP	50	全新	詢(xún)價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	MT58LC64K32D9LG-5	MICRON	23+	QFP100	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市明嘉萊科技有限公司	MT5112BD-AOSL	MTK/PBF	24+	QFP	880000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	MT5112EE/A	MTK	24+	QFP	25000	一級(jí)專(zhuān)營(yíng)品牌全新原裝熱賣(mài)	詢(xún)價(jià)
深圳市賽爾通科技有限公司	MT5656SMI-V-34.R2	Multi-TechSy	23+	Module	65600		詢(xún)價(jià)
深圳市凱睿晟科技有限公司	MT53D512M64D8HR-053WT:B	TI/德州儀器	21+	FBGA	6000	百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成可開(kāi)13點(diǎn)增值稅	詢(xún)價(jià)
深圳廣友電子有限公司	MT5505	航天民芯	25+	TSSOP-14/SOIC-14	66000	確保原裝航天民芯	詢(xún)價(jià)
深圳市易訊博科技有限公司	MT5692SMI-V-92.R1-SP	Multi-Tech	22+	NA	909	加我QQ或微信咨詢(xún)更多詳細(xì)信息,	詢(xún)價(jià)

更多MT5供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 9:50:00

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