10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

10 Amp Schottky Barrier Rectifiers ● Schottky barrier rectifier ● Guard ring protection ● Low power loss, high efficiency ● VRRM 50 to 60 Volts ● Reverse energy tested

文件：120.15 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages

MICROSEMI

美高森美

RF AND MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS

DESCRIPTION: The MS1006 is a 50 V Class AB epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB and VHF communications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliability. Features ? Optimized for SSB ? 30 MHz ? 50 Volts ? Common Emitter ? Gold Met

文件：104.72 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages

ADPOW

激光測(cè)距用高精度時(shí)間測(cè)量(TDC)電路

MS1006N是一款高精度時(shí)間測(cè)量(TDC)電路。對(duì)比MS1002具有更高的精度和更小的封裝，對(duì)比MS1005可以實(shí)現(xiàn)更高的測(cè)量頻率。\nMS1006N具有雙通道、多脈沖的采樣能力、高速SPI通訊、多種測(cè)量模式，適合于激光雷達(dá)和激光測(cè)距。 ? 雙通道單精度模式 60ps\n? 單通道雙精度模式 30ps\n? 非校準(zhǔn)測(cè)量范圍 3.5ns(0ns)至 25μs\n? 單精度校準(zhǔn)測(cè)量范圍 3.5ns(0ns)至 16μs\n? 雙精度校準(zhǔn)測(cè)量范圍 3.5ns 至 4μs\n? 20ns 最小脈沖間隔，雙通道最多可接收\(chéng)n20 個(gè)脈沖\n? 非校準(zhǔn)模式下，對(duì)于單精度測(cè)量時(shí)間間\n隔在 3μs 以內(nèi)，可以設(shè)置 REG[2] = 1，只\n讀低 16 位結(jié)果，加快讀取時(shí)間\n? 4 線 SPI 通信接口\n? 工作電壓：2.5V 至 3.6V\n? 工作溫度：-40°C 至+125°C\n? QFN20 封裝;

Relmon

瑞盟科技

Package：M135；包裝：帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135

MICROSEMI

美高森美

Quasi-Resonant Power Supply ICs　SMD

Shindengen

新電元