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MRF914	文件：90.31 Kbytes Page：3 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: Designed primarily for use in High Gain, low noise general purpose amplifiers. Also excellent for high speed switching applications. Features ? Silicon NPN, High Frequency Transistor ? High Power Gain - Gmax = 15 dB (typ) @ f = 500 MHz ? Low Noise Figure: NF = 2.5 dB (typ) @ f = 文件：90.31 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
MRF914	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS	Microchip 微芯科技	Microchip
MRF914	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 12V 0.04A 4-Pin TO-72	NJS	NJS

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更多MRF914供應(yīng)商更新時間2026-1-21 9:03:00