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首頁(yè) >MRF392>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
MRF392	文件：18.69 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF392 is a Common Emitter Device Designed for Class A, AB and C Amplifier Applications in the 300 - 500 MHz Military Communications Band. FEATURES INCLUDE: ? Gold Metalization ? Emitter Ballasting ? Input Matching 文件：18.69 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages	ASI	ASI
MRF392	文件：222.65 Kbytes Page：6 Pages	The RF Line Controlled ????Broadband Power Transistor 125W, 30 to 500MHz, 28V Designed primarily for wideband large–signal output and driver amplifier stages in the 30 to 500 MHz frequency range. ? Specified 28 V, 400 MHz characteristics — Output power = 125 W Typical gain = 10 dB Efficiency = 55 (typ.) ? Built–in input impedance matching networks for broadban 文件：222.65 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	MA-COM	MA-COM
MRF392	文件：145.62 Kbytes Page：4 Pages	BROADBAND PUSH-PULL RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON The RF Line ???????NPN Silicon Push-Pull RF Power Transistor Designed primarily for wideband large–signal output and driver amplifier stages in the 30 to 500 MHz frequency range. ? Specified 28 Volt, 400 MHz Characteristics — Output Power = 125 W Typical Gain = 10 dB Efficiency = 55 文件：145.62 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MRF392	文件：165.13 Kbytes Page：4 Pages	Tthe RF Line NPN Silicon Push-Pull RF Power Transistor The RF Line NPN Silicon Broadband Push–Pull RF Power Transistor Designed primarily for wideband large–signal output and driver amplifier stages in the 30 to 500 MHz frequency range. ? Specified 28 Volt, 400 MHz Characteristics — Output Power = 125 W Typical Gain = 10 dB Efficiency = 文件：165.13 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	MACOM	MACOM
MRF392	文件：222.65 Kbytes Page：6 Pages	The RF Line Controlled ????Broadband Power Transistor 文件：222.65 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	MA-COM	MA-COM
MRF392	文件：300 bytes Page：1 Pages	125 W, 30 to 500 MHz CONTROLLED “Q” BROADBAND PUSH–PULL RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON The RF Line NPN Silicon Push-Pull RF Power TransistorDesigned primarily for wideband large–signal output and driver amplifier stages in the 30 to 500 MHz frequency range.? Specified 28 Volt, 400 MHz Characteristics —\n?? Output Power = 125 W\n?? Typical Gain = 10 dB\n?? Efficiency = 55% (Typ)\n?	恩XP	恩XP
MRF392	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION:\nThe ASI MRF392 is a Common Emitter Device Designed for Class A, AB and C Amplifier Applications in the 300 - 500 MHz Military Communications Band.FEATURES INCLUDE:\n? Gold Metalization\n? Emitter Ballasting\n? Input Matching	ASI Semiconductor	ASI Semiconductor
MRF392	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans RF BJT NPN 30V 16A 8-Pin Case 744A-01	NJS	NJS
MRF392	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：744A-01；包裝：托盤類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS 2NPN EMITTR 30V 744A-01	MACOM Technology Solutions	MACOM Technology Solutions
MRF392_15	文件：222.65 Kbytes Page：6 Pages	The RF Line Controlled Broadband Power Transistor 文件：222.65 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	MA-COM	MA-COM

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
MRF392
制造商：
MACOM Technology Solutions
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
托盤
晶體管類型：
2 NPN（雙）共發(fā)射極
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
30V
增益：
10dB
功率 - 最大值：
125W
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 1A，5V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
16A
工作溫度：
200°C（TJ）
安裝類型：
底座安裝
封裝/外殼：
744A-01
供應(yīng)商器件封裝：
744A-01，1 型
描述：
RF TRANS 2NPN EMITTR 30V 744A-01

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	MRF392	M/A-COM	24+	SMD	3000	M/A-COM專營(yíng)微波射頻全新原裝正品	詢價(jià)
深圳市金華微盛電子有限公司	MRF392	MA/COM	2019+	SMD	6992	原廠渠道可含稅出貨	詢價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	MRF392	MOTOROLA/摩托羅拉	23+		1688	房間現(xiàn)貨庫(kù)存:QQ:373621633	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	MRF392	MACOM	24+	VQFN	7850	只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MRF392		24+		100	本站現(xiàn)庫(kù)存	詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	MRF392	MOT	23+	高頻管	350	專營(yíng)高頻管模塊,全新原裝!	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	MRF392	Freescale	24+	744A-01	30	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	MRF392	MOT	23+	高頻管	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
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更多MRF392供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 14:32:00

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