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MRF21045	文件：383.73 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applicat 文件：383.73 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體	FREESCALE
MRF21045	文件：550.17 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular ra 文件：550.17 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MRF21045	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF Power Field Effect Transistors	恩XP	恩XP
MRF21045	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF MOSFET	NJS	NJS
MRF21045LR3	文件：550.17 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular ra 文件：550.17 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MRF21045LR3	文件：383.73 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applicat 文件：383.73 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體	FREESCALE
MRF21045LSR3	文件：383.73 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applicat 文件：383.73 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體	FREESCALE
MRF21045LSR3	文件：550.17 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular ra 文件：550.17 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MRF21045LR3	文件：479.17 Kbytes Page：11 Pages	RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 文件：479.17 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體	FREESCALE
MRF21045LR3_08	文件：479.17 Kbytes Page：11 Pages	RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 文件：479.17 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體	FREESCALE

技術(shù)參數(shù)

Output Power：
10W
Number of Elements per Chip：
1
Mode of Operation：
2-Carrier W-CDMACDMA
Minimum Frequency：
2110MHz
Maximum Gate Source Voltage：
15V
Maximum Frequency：
2170MHz
Maximum Drain Source Voltage：
65V
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	MRF21045	MOTOROLA/摩托羅拉	23+		1688	房間現(xiàn)貨庫(kù)存:QQ:373621633	詢價(jià)
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