絲印：MP18021A；Package：SOIC8；100V, 2.5A, High-Frequency Half-Bridge Gate Driver

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MPS

美國(guó)芯源

100V高頻N-MOSFET半橋柵極驅(qū)動(dòng)器, 具有1ns匹配延遲

MP18021 是一款100V高頻半橋N-溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。其上下管驅(qū)動(dòng)通道可獨(dú)立控制，且匹配延遲小于 5ns。在電源不足的情況下，上下管電源均被欠壓鎖定，并強(qiáng)制輸出低電平。集成自舉二極管減少了外部元器件的使用。 ? 驅(qū)動(dòng) N-溝道 MOSFET 半橋\n? 100V VBST 電壓范圍\n? 集成自舉二極管\n? 16ns 的典型延遲\n? 柵極驅(qū)動(dòng)匹配時(shí)間小于 5ns\n? 12V VDD 時(shí)驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載具有 12ns 的上升時(shí)間和 9ns 的下降時(shí)間\n? TTL 兼容輸入\n? 小于150μA的靜態(tài)電流\n? 上下管驅(qū)動(dòng)電壓欠壓鎖定保護(hù)\n? 采用SOIC8 EPAD封裝;

MPS

美國(guó)芯源

100V、2.5A 高頻半橋柵極驅(qū)動(dòng)器

MP18021A是一款高頻100V半橋N-溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。其上下管驅(qū)動(dòng)通道可獨(dú)立控制，且匹配延遲小于 5ns。在電源不足的情況下，上下管電源均被欠壓鎖定，并強(qiáng)制輸出低電平。其集成自舉二極管減少了外部元器件的使用數(shù)量。 ? 驅(qū)動(dòng) N-溝道 MOSFET 半橋\n? 100V VBST 電壓范圍\n? 集成自舉二極管\n? 16ns 的典型延遲\n? 柵極驅(qū)動(dòng)匹配時(shí)間小于 5ns\n? 12V VDD 時(shí)驅(qū)動(dòng) 1nf 負(fù)載具有 12ns的上升時(shí)間和 9ns 的下降時(shí)間\n? 可兼容TTL輸入\n? 靜態(tài)電流小于 150μA\n? 上下管驅(qū)動(dòng)電壓欠壓鎖定保護(hù)\n? 采用 SOIC8E 和3mm×3mm QFN8 封裝;

MPS

美國(guó)芯源

100V、4A 高頻半橋柵極驅(qū)動(dòng)器

MP18024 是一款高頻100V半橋N-溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。其上下管驅(qū)動(dòng)通道可獨(dú)立控制，且匹配延遲小于 5ns。在電源不足的情況下，上下管電源均被欠壓鎖定，并強(qiáng)制輸出低電平。其集成自舉二極管減少了外部元器件的使用數(shù)量。 ? 驅(qū)動(dòng) N-溝道 MOSFET 半橋\n? 100V VBST 電壓范圍\n? 集成自舉二極管\n? 20ns 的典型延遲\n? 柵極驅(qū)動(dòng)匹配時(shí)間小于 5ns\n? 12V VDD 時(shí)驅(qū)動(dòng) 2.2nf 負(fù)載具有 15ns 的上升時(shí)間和 12ns 的下降時(shí)間\n? 可兼容TTL輸入\n? 靜態(tài)電流小于 150μA\n? 上下管驅(qū)動(dòng)電壓欠壓鎖定保護(hù)\n? 采用 SOIC8E 封裝;

MPS

美國(guó)芯源

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Monolithic Power Systems Inc.

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Monolithic Power Systems Inc.