COMPLEMENTARY DUAL TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 30 VOLTS

MiniMOS? devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density HDTMOS process. These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes

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MOTOROLA

摩托羅拉

Power MOSFET 2 Amps, 30 Volts Complementary SO-8, Dual

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Power MOSFET 2 Amps, 30 Volts Complementary SO-8, Dual

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Power MOSFET 2 Amps, 30 Volts Complementary SO-8, Dual

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ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

功率 MOSFET，30V，4.1 A，70mΩ，雙互補(bǔ)，SO-8

中等功率表面貼裝產(chǎn)品。此類器件是先進(jìn)的功率 MOSFET 系列，采用高單元密度工藝。這些微型表面貼裝 MOSFET 具有超低 RDS(on) 和真正邏輯電平性能。它們能夠承受雪崩和換相模式下的高能量，漏極-源極二極管具有很短的逆向恢復(fù)時(shí)間。這些器件設(shè)計(jì)用于高能效至關(guān)重要的低電壓、高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用。典型應(yīng)用為 DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及便攜式和電池供電產(chǎn)品中的功率管理，如計(jì)算機(jī)、打印機(jī)、手機(jī)和無(wú)繩電話。它們還可用于大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品（例如磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和磁帶驅(qū)動(dòng)器）中的 N 溝道低壓電機(jī)控制。雪崩能量專用于消除設(shè)計(jì)中的猜測(cè)，其中感應(yīng)負(fù)載可進(jìn)行切換，并提供額外的安全裕度，以抵御意外的電壓瞬變。 ? Ultra Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life\n? Logic Level Gate DriveCan Be Driven by Logic ICs P-Channel\n? Miniature SO-8 Surface Mount PackageSaves Board Space\n? Diode Is Characterized for Use In Bridge Circuits\n? Diode Exhibits High Speed, With Soft Recovery\n? IDSS;

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體