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    MMBTH10G-X-AL3-R

    RF TRANSISTOR

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    MMBTH10G-X-AL3-R

    RF TRANSISTOR

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    MMBTH10G-X-AN3-R

    RF TRANSISTOR

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    MMBTH10G-X-AN3-R

    RF TRANSISTOR

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    MMBTH10G-X-AQ3-R

    RF TRANSISTOR

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    MMBTH10LT1

    VHF/UHF Transistor (NPN Silicon)

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    ONSEMI

    安森美半導(dǎo)體

    MMBTH10LT1G

    VHF/UHF Transistor (NPN Silicon)

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    ONSEMI

    安森美半導(dǎo)體

    MMBTH10L-X-AE3-R

    RF TRANSISTOR

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    MMBTH10L-X-AL3-R

    RF TRANSISTOR

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    MMBTH10L-X-AN3-R

    RF TRANSISTOR

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    晶體管資料

    • 型號:

      MMBTH10

    • 別名:

      三極管、晶體管、晶體三極管

    • 生產(chǎn)廠家:

    • 制作材料:

    • 性質(zhì):

      射頻/高頻放大 (HF)_本級振蕩 (Osc)

    • 封裝形式:

    • 極限工作電壓:

      30V

    • 最大電流允許值:

      0.3A

    • 最大工作頻率:

      <1MHZ或未知

    • 引腳數(shù):

    • 可代換的型號:

    • 最大耗散功率:

    • 放大倍數(shù):

    • 圖片代號:

      NO

    • vtest:

      30

    • htest:

      999900

    • atest:

      0.3

    • wtest:

      0

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號:

      MMBTH10

    • 制造商:

      onsemi

    • 類別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

    • 包裝:

      卷帶(TR)剪切帶(CT)

    • 晶體管類型:

      NPN

    • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

      25V

    • 頻率 - 躍遷:

      650MHz

    • 功率 - 最大值:

      225mW

    • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

      60 @ 4mA,10V

    • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

      50mA

    • 工作溫度:

      -55°C ~ 150°C(TJ)

    • 安裝類型:

      表面貼裝型

    • 封裝/外殼:

      TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      SOT-23-3

    • 描述:

      RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

    供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
    FAIRCHILD/仙童
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    SOT-23
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    SOT-23
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    SOT-23
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    SOT-23-3
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    CJ/長電
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    SOT-23
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    更多MMBTH10供應(yīng)商 更新時間2026-1-21 20:03:00

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