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    首頁 >MMBTA56>規(guī)格書列表

    型號下載 訂購功能描述制造商 上傳企業(yè)LOGO

    MMBTA56

    PNP (DRIVER TRANSISTOR)

    文件:28.1 Kbytes 頁數(shù):1 Pages

    SAMSUNG

    三星

    MMBTA56

    PNP Silicon AF Transistor Low collector-emitter saturation voltage

    文件:77.42 Kbytes 頁數(shù):7 Pages

    INFINEON

    英飛凌

    MMBTA56

    絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/s2g/marking.html">s2G;Package:SOT23;PNP Silicon AF Transistor

    文件:532.48 Kbytes 頁數(shù):7 Pages

    INFINEON

    英飛凌

    MMBTA56

    PNP General Purpose Amplifier

    文件:1.07817 Mbytes 頁數(shù):15 Pages

    FAIRCHILD

    仙童半導體

    MMBTA56-7

    PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

    Features ● Epitaxial Planar Die Construction ● Ideal for Low Power Amplification and Switching ● Complementary NPN Type: MMBTA05 / MMBTA06 ● Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ● Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ● Qualified to AEC-Q101 Standards f

    文件:47.34 Kbytes 頁數(shù):2 Pages

    DIODES

    美臺半導體

    MMBTA56-AE3-R

    AMPLIFIER TRANSISTOR PNP SILICON TRANSISTOR

    FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO= -80V * Collector Dissipation: PD=350mW

    文件:116.11 Kbytes 頁數(shù):5 Pages

    UTC

    友順

    MMBTA56-AU

    NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

    NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR VOLTAGE 60~80 Volts POWER 225 mWatts FEATURES ? NPN and PNP silicon, planar design ? Collector current IC= 500mA ? Acqire quality system certificate : TS16949 ? AEC-Q101 qualified ? Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.

    文件:250.73 Kbytes 頁數(shù):7 Pages

    PANJIT

    強茂

    MMBTA56L

    Driver Transistors

    Features ? S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable ? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

    文件:177.29 Kbytes 頁數(shù):7 Pages

    ONSEMI

    安森美半導體

    MMBTA56L-AE3-R

    AMPLIFIER TRANSISTOR PNP SILICON TRANSISTOR

    FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO= -80V * Collector Dissipation: PD=350mW

    文件:116.11 Kbytes 頁數(shù):5 Pages

    UTC

    友順

    MMBTA56LT1

    Driver Transistors(PNP Silicon)

    Driver Transistors PNP Silicon Features ? Pb?Free Package is Available

    文件:58.15 Kbytes 頁數(shù):4 Pages

    ONSEMI

    安森美半導體

    晶體管資料

    • 型號:

      MMBTA56

    • 別名:

      三極管、晶體管、晶體三極管

    • 生產(chǎn)廠家:

    • 制作材料:

    • 性質(zhì):

      低頻或音頻放大 (LF)_通用 (G)

    • 封裝形式:

    • 極限工作電壓:

      80V

    • 最大電流允許值:

      0.5A

    • 最大工作頻率:

      <1MHZ或未知

    • 引腳數(shù):

    • 可代換的型號:

    • 最大耗散功率:

      0.3W

    • 放大倍數(shù):

    • 圖片代號:

      NO

    • vtest:

      80

    • htest:

      999900

    • atest:

      0.5

    • wtest:

      0.3

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號:

      MMBTA56

    • 制造商:

      onsemi

    • 類別:

      分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

    • 包裝:

      卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

    • 晶體管類型:

      PNP

    • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

      200mV @ 10mA,100mA

    • 電流 - 集電極截止(最大值):

      100nA

    • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

      100 @ 100mA,1V

    • 頻率 - 躍遷:

      50MHz

    • 工作溫度:

      -55°C ~ 150°C(TJ)

    • 安裝類型:

      表面貼裝型

    • 封裝/外殼:

      TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

    • 供應商器件封裝:

      SOT-23-3

    • 描述:

      TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3

    供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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    更多MMBTA56供應商 更新時間2026-1-22 15:40:00

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