| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
MMBTA42 | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1d/marking.html">1D；Package：SOT-23；Plastic-Encap sulate Transistors FEATURES High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Complementary to MMBTA92 (PNP) 文件：1.14726 Mbytes 頁數(shù)：3 Pages | GWSEMI 唯圣電子 | GWSEMI | |
MMBTA42 | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1d/marking.html">1D；Package：SOT-23；NPN Transistors ■ Features ● High breakdown voltage ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary to MMBTA92 (PNP) 文件：595.33 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | YFWDIODE 佑風(fēng)微 | YFWDIODE | |
MMBTA42 | Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ? High breakdown voltage ? Low collector-emitter saturation voltage ? Complementary to MMBTA92 (PNP) 文件：186.27 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | HOTTECH 合科泰 | HOTTECH | |
MMBTA42 | 絲印：1D；Package：SOT-23；Plastic-Encapsulate Transistors Features: High breakdown voltage; Applications: It is used for ordinary high-voltage amplification and is complementary to MMBTA92. 文件：507.6 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | SHENZHENSLS 三聯(lián)盛 | SHENZHENSLS | |
MMBTA42 | 絲印：1D；Package：SOT-23；NPN Transistors Features ● For switching and amplifier applications. ● High voltage 文件：809.36 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | PJSEMI 平晶半導(dǎo)體 | PJSEMI | |
MMBTA42 | SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR( NPN ) Features ● High breakdown voltage ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary to MMBTA92 (PNP) 文件：2.42697 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages | HDSEMI 海德半導(dǎo)體 | HDSEMI | |
MMBTA42 | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1d/marking.html">1D；Package：SOT-23；NPN Silicon General Purpose Transistors VOLTAGE 300 Volts CURRENT 0.5 Ampers FEATURES ? High current capacity in compact package.IC =0.5 A. ? Epitaxial planar type. ? Pb-Free Package is available. 文件：376.25 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | NIUHANG 紐航電子 | NIUHANG | |
MMBTA42 | NPN High Voltage Amplifier FEATURES ? Epitaxial planar die construction. ? Complementary PNP type available (MMBTA92) ? Ideal for medium power amplification and switching. APPLICATIONS ? NPN High voltage amplifier. 文件：7.90518 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages | KISEMICONDUCTOR | KISEMICONDUCTOR | |
MMBTA42 | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1d/marking.html">1D；Package：SOT-23；HighVoltageTransistors High Voltage Transistors ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 文件：203.66 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | FS | FS | |
MMBTA42 | SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Complementary to MMBTA92 (PNP) 文件：717.98 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | UMW 友臺半導(dǎo)體 | UMW |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_通用 （G）
- 封裝形式：
- 極限工作電壓：
300V
- 最大電流允許值：
0.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
0.3W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
NO
- vtest：
300
- htest：
999900
- atest：
0.5
- wtest：
0.3
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MMBTA42
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
500mV @ 2mA，20mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 30mA，10V
- 頻率 - 躍遷：
50MHz
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
19+ |
SOT-23 |
39000 |
詢價 | |||
CJ(長電) |
2026+ |
SOT-23 |
8000 |
詢價 | |||
FSC |
15+ |
原廠原裝 |
123000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
CJ |
17+ |
SOT-23 |
6061 |
全新原裝正品s |
詢價 | ||
ON/長電 |
14+無鉛 |
SOT-23 |
25700 |
優(yōu)勢產(chǎn)品,博盛微熱賣!!! |
詢價 | ||
ONSEMI |
25+ |
NA |
18000 |
全新原裝!優(yōu)勢庫存熱賣中! |
詢價 | ||
UMW 友臺 |
23+ |
SOT-23-3 |
9000 |
原裝正品，實單請聯(lián)系 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
02+ |
SOT23 |
2855 |
原裝正品 |
詢價 | ||
NEXPERIA/安世 |
20+ |
SOT-23 |
120000 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT23 |
154638 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 |
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