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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
MMBD352WT1	文件：70.95 Kbytes Page：4 Pages	Dual Shottky Barrier Diode These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra?fast switching circuits. Features ? Very Low Capacitance ? Less Than 1.0 pF @ Zero Volts ? Low Forward Voltage ? 0.5 Volts (Typ) @ IF = 10 mA ? Pb?Free Package is Avail 文件：70.95 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MMBD352WT1	文件：48.01 Kbytes Page：2 Pages	Dual Schottky Barrier Diode These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra–fast switching circuits. ? Very Low Capacitance — Less Than 1.0 pF @ Zero Volts ? Low Forward Voltage — 0.5 Volts (Typ) @ IF = 10 mA 文件：48.01 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	LRC 樂山無線電	LRC
MMBD352WT1	文件：43.18 Kbytes Page：4 Pages	Dual Schottky Barrier Diode 文件：43.18 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MMBD352WT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual Schottky Barrier Diode These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra–fast switching circuits.? Very Low Capacitance — Less Than 1.0 pF @ Zero Volts\n? Low Forward Voltage — 0.5 Volts (Typ) @ IF = 10 mA	LRC 樂山無線電	LRC
MMBD352WT1G	文件：127.59 Kbytes Page：3 Pages	Dual Schottky Barrier Diode These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra?fast switching circuits. Features ? Very Low Capacitance ? Less Than 1.0 pF @ 0 V ? Low Forward Voltage ? 0.5 V (Typ) @ IF = 10 mA ? AEC Qualified and PPAP Capable ? 文件：127.59 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MMBD352WT1_05	文件：43.18 Kbytes Page：4 Pages	Dual Schottky Barrier Diode 文件：43.18 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MMBD352WT1G	文件：43.18 Kbytes Page：4 Pages	Dual Schottky Barrier Diode 文件：43.18 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
MMBD352WT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 射頻描述：RF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
MMBD352WT1
功能描述：
肖特基二極管與整流器 7V 225mW Dual
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
產(chǎn)品：
Schottky Diodes
峰值反向電壓：
2 V
正向連續(xù)電流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向電壓下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作溫度范圍：
- 65 C to + 150 C
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
SOT-143
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MMBD352WT1	onsemi	25+	SC-70-3(SOT323)	21000	正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊	詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	MMBD352WT1		24+	N/A	64000	一級(jí)代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
深圳市英科美電子有限公司	MMBD352WT1	ON/安森美	2223+	SOT-323	26800	只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)	詢價(jià)
深圳市芯為科技有限公司	MMBD352WT1	Rochester	25+	電聯(lián)咨詢	7800	公司現(xiàn)貨,提供拆樣技術(shù)支持	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	MMBD352WT1	onsemi	25+	SC-70-3(SOT323)	21000	正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊	詢價(jià)
深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司	MMBD352WT1(M5)	FSC	22+	SOT23	13822	進(jìn)口原裝	詢價(jià)
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更多MMBD352WT1供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 22:59:00

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