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首頁 >MJE521>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
MJE521	文件：67.68 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium??ower NPN Silicon Transistor These devices are designed for use in general?purpose amplifier and switching circuits. Recommended for use in 5 to 10 Watt audio amplifiers utilizing complementary symmetry circuitry. Features ? DC Current Gain ? hFE = 40 (Min) @ IC = 1.0 Adc ? Co 文件：67.68 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
MJE521	文件：70.19 Kbytes Page：1 Pages	SILICON COMPLEMENTRY POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR MJE371, MJE521 types are Complementary Silicon Power Transistors designed for use in general amplifier and switching applications. 文件：70.19 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJE521	文件：128.78 Kbytes Page：4 Pages	4 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 40 VOLTS 40 WATTS Plastic Medium-Power NPN Silicon Transistor . . . designed for use in general–purpose amplifier and switching circuits. Recommended for use in 5 to 10 Watt audio amplifiers utilizing complementary symmetry circuitry. ? DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 1.0 Adc ? Complementary to 文件：128.78 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
MJE521	文件：142.94 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ? Collector–Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 40 V(Min) ? DC Current Gain- : hFE = 40(Min) @ IC= 1A ? Complement to Type MJE371 APPLICATIONS ? Designed for use in general?purpose amplifier and switching circuits applications. 文件：142.94 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
MJE521	文件：61.55 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The MJE521 is a silicon Epitaxial-Base NPN transistor in Jedec SOT-32 plastic package. It is intended for use in 5 to 20W audio amplifiers, general purpose amplifier and switching circuits. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE 文件：61.55 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導體	STMICROELECTRONICS
MJE521	文件：45.84 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN TRANSISTOR 文件：45.84 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導體	STMICROELECTRONICS
MJE521	文件：300 bytes Page：1 Pages	4 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 40 VOLTS 40 WATTS	恩XP	恩XP
MJE521	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 40V 4A 3-Pin TO-225 Bulk	NJS	NJS
MJE521	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch	Central	Central
MJE521	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包裝：散裝類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 40V 4A TO126	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI

晶體管資料

型號：
MJE521
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
40V
最大電流允許值：
4A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BD187,BD197,D310,
最大耗散功率：
40W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
B-21
vtest：
40
htest：
999900
atest：
4
wtest：
40

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
MJE521
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
散裝
晶體管類型：
NPN
電流 - 集電極截止（最大值）：
100μA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 1A，1V
工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-225AA，TO-126-3
供應商器件封裝：
TO-126
描述：
TRANS NPN 40V 4A TO126

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多MJE521供應商更新時間2026-1-19 9:38:00

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