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    MJD31CQ-13

    100V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN TO252

    Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) has been designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features ? BVCEO > 100V ? IC = 3A high Continuous Collector Current ? ICM = 5A Peak Pulse Current ? Ideal for Power Switching or Amplification Applications ? C

    文件:316.5 Kbytes 頁(yè)數(shù):7 Pages

    DIODES

    美臺(tái)半導(dǎo)體

    MJD31CQ-13

    絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/mjd31c/marking.html">MJD31C;Package:TO-252;100V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

    文件:456.21 Kbytes 頁(yè)數(shù):7 Pages

    DIODES

    美臺(tái)半導(dǎo)體

    MJD31CQ-13

    Package:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS NPN 100V 3A TO252-3

    DIODES

    美臺(tái)半導(dǎo)體

    MJD31CT4G

    TO-252

    NK/南科功率

    MJD31CT4G

    TO-252

    ON

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號(hào):

      MJD31CQ-13

    • 制造商:

      Diodes Incorporated

    • 類別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

    • 包裝:

      卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

    • 晶體管類型:

      NPN

    • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

      1.2V @ 375mA,3A

    • 電流 - 集電極截止(最大值):

      1μA

    • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

      10 @ 3A,4V

    • 頻率 - 躍遷:

      3MHz

    • 工作溫度:

      -55°C ~ 150°C(TJ)

    • 安裝類型:

      表面貼裝型

    • 封裝/外殼:

      TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      TO-252-3

    • 描述:

      TRANS NPN 100V 3A TO252-3

    供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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    更多MJD31CQ-13供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-22 20:01:00

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